多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。

多晶硅相关检测标准

1、GB/T 38907-2020 节水型企业 多晶硅行业

2、GB/T 18916.47-2020 取水定额 第47部分：多晶硅生产

3、GB/T 10067.416-2019 电热和电磁处理装置基本技术条件 第416部分:多晶硅铸锭炉

4、GB/T 29054-2019 太阳能电池用铸造多晶硅块

5、GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

6、GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

7、GB/T 35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程

8、GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅

9、GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

10、GB/T 12963-2014 电子级多晶硅

11、GB 51034-2014 多晶硅工厂设计规范

12、GB/T 29054-2012 太阳能级铸造多晶硅块

13、GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

14、GB 29447-2012 多晶硅企业单位产品能源消耗限额

15、GB/T 24579-2009 酸浸取.原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物

16、GB/T 32652-2016 多晶硅铸锭石英坩埚用熔融石英料

17、YS/T 1290-2018 多晶硅生产尾气中硅烷含量的测定 气相色谱法

18、DB15/T 1239-2017 多晶硅生产净化氢气用活性炭中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法

19、YS/T 1195-2017 多晶硅副产品 四氯化硅

20、YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉

21、DB53/T 747-2016 多晶硅生产回收氢气中氯化氢含量的测定 气相色谱法

22、JC/T 2349-2015 多晶硅生产用氮化硅陶瓷绝缘体

23、YS/T 1061-2015 改良西门子法多晶硅用硅芯

24、YS/T 983-2014 多晶硅还原炉和氢化炉尾气成分的测定方法

25、DB53/T 618-2014 气相色谱法测定多晶硅生产中氢化尾气 组分含量

26、DB65/T 3486-2013 太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法

27、DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法

28、DB53/T 501-2013 多晶硅用三氯氢硅杂质元素含量测定 电感耦合等离子体质谱法

29、DB53/T 499-2013 多晶硅用三氯氢硅

30、DB53/T 500-2013 多晶硅用三氯氢硅组分含量测定 气相色谱法

31、DB13/T 1632-2012 太阳能级多晶硅块

32、DB36/ 652-2012 太阳能级多晶硅单位产品能源消耗限额

33、JC/T 2067-2011 太阳能多晶硅用熔融石英陶瓷坩埚

34、KS D 2715-2006 单晶硅和多晶硅纳米/微薄膜拉伸的试样

35、ASTM F1724-1996 用酸性萃取原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属杂质的标准试验方法

36、ASTM F1723-1996 用浮区晶体增长和光谱法评估多晶硅竿材的标准实施规范

37、CSN 34 5911-1986 多晶硅

38、GOST 19658-1981 多晶硅锭.技术条件

39、MSZ 12435/3-1977 多晶硅．主要技术特征